File:Silicon dislocation orientation 100 mag 500x.png

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摘要

描述	Title: Dislocations in Si crystal, orientation 100 Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the elliptical shape of dislocations. Author: Twisp Date: 24.08.2005
日期	2005年9月13日 (原始上传日期)
来源	No machine-readable source provided. Own work assumed (based on copyright claims).
作者	No machine-readable author provided. Twisp assumed (based on copyright claims).

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	日期/时间	缩⁠略⁠图	大小	用户	备注
当前	2005年9月13日 (二) 00:12		768 × 576（658 KB）	Twisp	* Title: Dislocations in Si crystal, orientation 100 * Desc: Image of dislocations in Si crystal made using interference microscope with 500x magnification. Crystal orientation can be determined by the elliptical shape of dislocations. * Author: Twisp * D

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