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氮化鋁銦鎵

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氮化鋁銦鎵的化學式是InGaAlN,是以氮化鎵為基礎的半導體,常用磊晶成長的方式製成,像是有机金属化学气相沉积法(MOCVD)、分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)等方式[1]。此材料用在特別的光電應用中,像是藍光雷射LED及藍光LED等。

參考資料

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  1. ^ Aluminum Gallium Nitride - an overview | ScienceDirect Topics. www.sciencedirect.com. [2022-09-04]. (原始内容存档于2023-04-09).