赫尔曼·古梅尔
| 赫尔曼·古梅尔 | |
|---|---|
| 出生 | 赫尔曼·古梅尔 1923年7月5日 魏玛共和国普鲁士自由邦汉诺威 |
| 逝世 | 2022年9月5日（99岁） 美国新泽西州 |
| 母校 | 马尔堡大学 雪城大学 |
| 奖项 | 大卫·沙诺夫奖（1983年） 美国国家工程院院士（1985年） 菲尔·卡夫曼奖 （1994年） |
| 科学生涯 | |
| 研究领域 | 半导体装置 |
赫尔曼·卡尔·古梅尔（德语：Hermann Karl Gummel，1923年7月5日—2022年9月5日），德国物理学家，主要从事半导体领域研究[1]。
生平
[编辑]1923年生于普鲁士汉诺威，1952年在菲利普斯大学获得物理学大学文凭。1957年在美国雪城大学获得半导体物理学博士学位[2]。1956年加入贝尔实验室[3]。主要从事半导体装置研究。曾提出数学模型，用来描述双极性晶体管的具体工作原理，成为集成电路通用模拟程序程序开发的核心[4]。1983年获得电气电子工程师学会大卫·沙诺夫奖[5]。1985年当选美国国家工程院院士[6]。1994年，获得首届菲尔·卡夫曼奖[7]。2022年9月5日逝世[1]。
主要论文
[编辑]- Gummel, Hermann; Lax, Melvin. Thermal capture of electrons in silicon. Annals of Physics. 1957, 2 (1): 28–56. Bibcode:1957AnPhy...2...28G. doi:10.1016/0003-4916(57)90034-9.
- Gummel, H. K.; Poon, H. C. An integral charge control model of bipolar transistors. Bell Syst. Tech. J. May 1970, 49 (5): 827–852. doi:10.1002/j.1538-7305.1970.tb01803.x.
- Gummel, H. K.; Chawla, Basant R.; Kozak, Paul. MOTIS-An MOS Timing Simulator. IEEE Transactions on Circuits and Systems. December 1975, CAS–22 (12): 901–910.
参考资料
[编辑]- ^ 1.0 1.1 Hermann K. Gummel Obituary. IEEE Council on Electronic Design Automation. [2022-09-16]. （原始内容存档于2022-09-25）.
- ^ Contributors to this issue. Bell System Technical Journal. January 1961: 349 [2022-09-11]. （原始内容存档于2022-11-01）.
- ^ Birman, Joseph L.; Cummins, Herman Z. Melvin Lax. Biographical Memoirs Vol. 87 (PDF). National Academy of Sciences. 2005: 3–25 [2022-11-01]. （原始内容存档 (PDF)于2012-10-21）.
- ^ Newton, A. Richard. Presentation of the 1994 Phil Kaufman Award to Dr. Hermann K. Gummel. 1994-11-06. （原始内容存档于2012-10-15）.
- ^ IEEE David Sarnoff Award Recipients (PDF). IEEE. [2022-08-05]. （原始内容存档 (PDF)于2012-05-09）.
- ^ Dr. Hermann K. Gummel. National Academy of Engineering. [2022-08-05]. （原始内容存档于2022-11-01）.
- ^ Hermann K. Gummel: 1994 Phil Kaufman Award Honoree. Electronic Design Automation Companies (EDAC). 1994-11-09. （原始内容存档于2011-07-26）.
