闸极介电层是一种用在场效电晶体的闸道与基底上的介电质。以目前的科技水平，闸极介电层有许多的限制，如：
电容和厚度的限制几乎是相对的。对矽基场效电晶体来说，闸极介电层几乎总是二氧化矽，因为热氧化物会有很干净的平面。但无论如何，半导体工业对寻找有高介电系数的替代物质有著很高的兴趣，这可以使闸极介电层在相同的厚度下能有更高的电容。
