威廉·加德納·普凡
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威廉·加德納·普凡（William Gardner Pfann，暱稱"比爾"（Bill）[1]，1917年10月27日—1982年10月22日）是貝爾實驗室的發明家與材料科學家。普凡因開發半導體產業用的區域熔煉技術而赫赫有名。貝爾實驗室的官方歷史這麼記載道："由威廉·加德納·普凡開發的區域精煉是劃時代的發明...它是讓鍺與矽中的雜質能被吾人控制的重大貢獻"（Timely invention of zone refining by W.G.Pfann ... was a major contribution that helped bring the impurities in germanium and silicon under control.）。[2]
早年
[編輯]普凡生於紐約市布魯克林。1935年普凡年僅18歲就展現了對材料科學的才能，沒有大學學歷就進入了貝爾實驗室的化學研究部門。後來到柯柏聯盟學院的夜校上學，才於1940年取得化學工程的學士學位。[3]:198
在貝爾實驗室，普凡加入威廉·肖克利意圖以半導體取代真空管的工作。本來他們採用鍺，1945年用鍺做出了高逆壓整流器。[3]:124 普凡想出了最早的一種點接式電晶體，他改良了西方電氣的1N26型點接二極體使其成為三極放大器，後來被稱為A型電晶體（Type A transistor）。[4]
突破
[編輯]晚年
[編輯]1973年，普凡成為第一位摩爾傑出成就固態科學科技獎章的受獎者。 1975年，普凡被推選為美國國家科學院院士。1976年獲美國物理聯合會授予麥克格羅迪新材料獎。
註記
[編輯]- ^ 存档副本. [2017-10-22]. （原始內容存檔於2013-07-09）.
- ^ S. Millman editor (1983) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 4: Physical Sciences, p 580, 貝爾實驗室 ISBN 0-932764-03-7
- ^ 3.0 3.1 Riordan, Michael; Lillian Hoddeson. Crystal fire : the birth of the information age 1st. New York: Norton. 1997. ISBN 0-393-04124-7.
- ^ F.M. Smits (1985) A History of Engineering and Science in the Bell System, volume 6: Electronics Technology, p 12, Bell Labs, ISBN 0-932764-07-X
參考文獻
[編輯]- Kenneth A. Jackson, Harry J. Leamy & Richard S. Wagner (February 1983) "William G. Pfann", 今日物理 36:88.
