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金屬半導體場效應管

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金屬半導體場效應管的結構

金屬半導體場效應管(英語:metal semiconductor field effect transistor, MESFET),簡稱金半場效應管,是一種在結構上與結型場效應管類似,不過它與後者的區別是這種場效應管並沒有使用PN結作為其柵極,而是採用金屬半導體接觸結,構成肖特基勢壘的方式形成柵極。金屬半導體場效應管通常由化合物半導體構成,例如砷化鎵磷化銦碳化硅等,它的速度比由硅製造的結型場效應管或MOSFET更快,但是造價相對更高。金屬半導體場效應管的工作頻率最高可以達到45 GHz左右,[1]微波頻段的通信雷達等設備中有着廣泛應用。第一個金屬半導體場效應管在1966年被發明,其良好的極高頻性能在隨後的一年即展現出來。[2]在數字電路設計領域,由於數字集成電路的集成度不斷提高,因此使用金屬半導體場效應管並不如CMOS

參考文獻

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  1. ^ Lepkowski, W.; Wilk, S.J.; Thornton, T.J., 45 GHz Silicon MESFETs on a 0.15 μm SOI CMOS Process, SOI Conference, 2009 IEEE International (Foster City, CA), 2009: 1–2 [2013-01-06], ISBN 978-1-4244-4256-0, ISSN 1078-621X, (原始內容存檔於2019-07-01) 
  2. ^ GaAs FET MESFET頁面存檔備份,存於網際網路檔案館) radio-electronics.com.

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