跳至內容

中子繞射技術

維基百科,自由的百科全書
An imaging technique known as neutron diffraction, used along with molecular simulations, revealed that an ion channels voltage sensing domain (red, yellow and blue molecule at center) perturbs the two-layered cell membrane that surrounds it (yellow surfaces), causing the membrane to thin slightly.

中子繞射技術或者『彈性的中子散射』是研究晶體學的方法(neutron diffraction; elastic neutron scattering),是用來確定某個材料的原子結構或磁性結構。這也是彈性散射的一種,離開中子具有入射中子相同或略低的能量。這個技術與X射線繞射類似,其主要差別在於它們不同繞射性質,這兩種技術可以互為補充。中子X射線提供互為補充的信息:X射線適合於表面分析,同步輻射產生的強X射線適合於淺的深度或薄的樣品,而穿透深度高的中子適合於塊狀樣品[1]

註釋

[編輯]

參閱

[編輯]

外部連結

[編輯]