Rapidus
Rapidus Corporation | |
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原文名稱 | Rapidus株式会社 |
公司類型 | 私人株式會社 |
成立 | 2022年8月10日 |
代表人物 | 東哲郎(主席)[1] 小池淳義(總裁兼行政總裁) |
產業 | 半導體 |
網站 | www |
Rapidus(日語:Rapidus株式会社、英語:Rapidus Corporation)是一家總部位於日本東京都千代田區的半導體製造商。Rapidus於2022年8月在八家日本大公司的支持下成立,這八家公司包括:電裝、鎧俠、三菱日聯銀行、日本電氣、日本電信電話、軟銀、索尼和豐田汽車。Rapidus的目標是到2027年提高2納米製程半導體的產能[2]。
背景歷史
[編輯]20世紀80年代,日本的半導體產業競爭激烈,全球市場份額達到了50%[3]。然而,為解決貿易摩擦,以及韓國和台灣的崛起,1986年日美半導體協定逐漸降低了日本的競爭力[4]。1999年,爾必達成立,通過整合日立和日本電氣的動態隨機存取存儲器(DRAM)業務,逐漸掌握了半導體存儲器領域的市場份額,並接管了三菱電機的業務。在某個時期,Elpida在該領域獲得了全球第三大市場份額。然而,由於雷曼兄弟迷你債券事件和隨後的日元升值衰退,2009年管理狀況惡化,儘管政府提供了資金支持,但公司於2012年破產[5]。2013年,爾必達被美光科技收購[6],並於次年改名為美光內存日本(Micron Memory Japan)[7]。由於包括台積電、三星電子和英特爾在內的公司的國際競爭,截至2019年,日本公司在整個半導體行業的市場份額已降至10%[8][9]。
2022年5月,美國總統喬·拜登和日本首相岸田文雄在東京會面,討論了包括半導體、核電、太空探索、電動汽車電池、關鍵礦物質和供應鏈在內的重要技術的增強合作[10]。6月7日,第二次岸田內閣的基本政策宣佈考慮支持開發下一代先進技術的私營公司,並在2022年後半期建立下一代半導體的設計和製造基礎設施。2022年7月29日,美國國務卿安東尼·布林肯、美國商務部長吉娜·萊蒙多、日本外務大臣林芳正和日本貿易大臣萩生田光一舉行了高層會談,討論半導體發展的合作[11]。此外,岸田文雄首相在2022年10月3日的國會第210次會議上的政策演講包括通過鼓勵公共和私人投資來推動數位轉型(DX),並宣佈將通過日美合作促進下一代半導體的技術發展和大規模生產。經濟產業省(METI)決定設立先進半導體技術中心(LSTC)作為一個組織,在日美雙方基於5月半導體合作的基本原則達成的協議的基礎上進行下一代半導體研究。LSTC和Rapidus合作,在日本建立下一代半導體的設計和製造平台[12]。
公司歷史
[編輯]2022年
[編輯]2022年8月10日,由八家日本公司共同投資73億日元成立了Rapidus[13],旨在國內生產先進的半導體晶片,預計在未來10年內將進一步投資360億美元[14][15]。Rapidus由曾領導東京電子的東哲郎[16]和曾領導威騰電子日本子公司的小池淳義[17]共同領導。同年,經濟產業省和新能源和產業技術開發機構公開徵集與加強5G後通信系統基礎有關的先進半導體開發委託項目,結果政府為Rapidus提供了700億日元的補貼[18][19]。
2022年12月6日,校際微電子中心宣佈已與Rapidus簽署了合作備忘錄,雙方將在先進半導體技術上建立長期和可持續的合作關係,而Rapidus計劃在2020年後半期在日本大規模生產2納米技術的晶片[20][21][22][23]。
2022年12月13日,IBM和Rapidus宣佈開發了2納米節點技術,IBM於2021年先前宣佈的納米片柵環繞場效應電晶體(GAA FET)器件的生產將由Rapidus在其日本晶圓廠完成[12][24] to be done by Rapidus at its fab in Japan.[25][26][27][28]。Rapidus旨在生產的2納米半導體晶片預計將比2022年市場上的7納米晶片性能提高多達45%,能耗降低75%[29] 。
2023年
[編輯]2023年1月,Rapidus和IBM的代表參加了日本貿易大臣萩生田的繼任者西村康稔和美國商務部長萊蒙多之間的會議[30]。
2023年2月,Rapidus宣佈選定位於北海道千歲市新千歲機場附近的場地作為其計劃中工廠的所在地[31][32]。Rapidus還於2023年4月加入IMEC的「核心合作夥伴計劃」,加強了與後者的合作夥伴關係[33]。
另見
[編輯]參考文獻
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