速度過沖
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速度過沖是半導體電子元件中的現象，是指半導體裡的载流子在各極之間的轉換时间小於發射一個光學聲子所需時間[1][2]。因此其速度會超過飽和電子速率（最快會到飽和電子速率的三倍），會造成較快的场效应管或双极性晶体管切換。若一般的场效应管其閘極寬度小於100 nm時，此特性會很明顯[3]。
ballistic collection transistor
[编辑]此元件刻意造成速度過沖，並因此提昇其特性，因此稱為ballistic collection transistor[4]。
相關條目
[编辑]參考資料
[编辑]- ^ Jyegal, Jang. Velocity overshoot decay mechanisms in compound semiconductor field-effect transistors with a submicron characteristic length. AIP Advances. June 2015, 5 (6): 067118. Bibcode:2015AIPA....5f7118J. doi:10.1063/1.4922332
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- ^ Tan, Michael Loong Peng; Arora, Vijay K.; Saad, Ismail; Ahmadi, Mohammad Taghi; Razali, Ismail. The drain velocity overshoot in an 80 nm metal–oxide–semiconductor field-effect transistor. Journal of Applied Physics. May 2009, 105 (7): 074503–074503–7 [9 March 2018]. Bibcode:2009JAP...105g4503T. doi:10.1063/1.3091278 .
- ^ SINITSKY, D.; ASSADERAGHI, F.; ORSHANSKY, M.; BOKOR, J.; HU, C. VELOCITY OVERSHOOT OF ELECTRONS AND HOLES IN Si INVERSION LAYERS. Solid-State Electronics. 1997, 41 (8): 1119–1125. Bibcode:1997SSEle..41.1119S. CiteSeerX 10.1.1.133.2927 . doi:10.1016/S0038-1101(97)00031-2.
- ^ Chang, M F; Ishibashi, T. Current Trends In Heterojunction Bipolar Transistors. World Scientific Publishing Co. Pte. 1996: 126–129. ISBN 978-981-02-2097-6.
- Peter Graf: Entwicklung eines Monte-Carlo-Bauelementsimulators für Si / SiGe-Heterobipolartransistoren. Herbert Utz Verlag 1999, ISBN 978-3896755742, S. 79 ff.
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